Memoria EEPROM R1EV5801MBSDRDI#B0 Renesas Electronics, 1Mbit, 128K x, 8bit, Paralelo, 150 ns, 250 ns, 32 pines SOP

Código de producto RS: 901-5714Marca: Renesas ElectronicsNúmero de parte de fabricante: R1EV5801MBSDRDI#B0
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

1Mbit

Tipo de Interfaz

Parallel

Tipo de Encapsulado

SOP

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

32

Organización

128 x 8 bit

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Dimensiones

20.95 x 11.3 x 2.73mm

Número de palabras

128K

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Data Retention

Minimum of 10año

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

150 ns, 250 ns

País de Origen

Vietnam

Datos del producto

Acceso Serie Prom Borrable Eléctricamente, Renesas

EEPROM Serial Access - Renesas Electronics

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P.O.A.

Memoria EEPROM R1EV5801MBSDRDI#B0 Renesas Electronics, 1Mbit, 128K x, 8bit, Paralelo, 150 ns, 250 ns, 32 pines SOP

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Tamaño de la Memoria

1Mbit

Tipo de Interfaz

Parallel

Tipo de Encapsulado

SOP

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32

Organización

128 x 8 bit

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

5.5 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Dimensiones

20.95 x 11.3 x 2.73mm

Número de palabras

128K

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

Data Retention

Minimum of 10año

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

150 ns, 250 ns

País de Origen

Vietnam

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Acceso Serie Prom Borrable Eléctricamente, Renesas

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