Memoria EEPROM R1EV5801MBSDRDI#B0 Renesas Electronics, 1Mbit, 128K x, 8bit, Paralelo, 150 ns, 250 ns, 32 pines SOP

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
1Mbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
32
Organización
128 x 8 bit
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Dimensiones
20.95 x 11.3 x 2.73mm
Número de palabras
128K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Data Retention
Minimum of 10año
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
150 ns, 250 ns
País de Origen
Vietnam
Datos del producto
Acceso Serie Prom Borrable Eléctricamente, Renesas
EEPROM Serial Access - Renesas Electronics
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTamaño de la Memoria
1Mbit
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
32
Organización
128 x 8 bit
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Dimensiones
20.95 x 11.3 x 2.73mm
Número de palabras
128K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Data Retention
Minimum of 10año
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
150 ns, 250 ns
País de Origen
Vietnam
Datos del producto