Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de producto
MOSFET
Output Current
2A
Número de pines
8
Encapsulado
SOIC
Tiempo de caída
500ns
Número de salidas
2
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
500ns
Tensión de alimentación mínima
14V
Tensión de Alimentación Máxima
14V
Número de drivers
2
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4 mm
Series
HIP2100
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Tipo de soporte
Surface
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Half Bridge, Full Bridge and Three Phase Drivers, Intersil
MOSFET & IGBT Drivers, Intersil
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
P.O.A.
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Estándar
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de producto
MOSFET
Output Current
2A
Número de pines
8
Encapsulado
SOIC
Tiempo de caída
500ns
Número de salidas
2
Tipo de unidad
MOSFET
Tiempo de Ascenso
500ns
Tensión de alimentación mínima
14V
Tensión de Alimentación Máxima
14V
Número de drivers
2
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4 mm
Series
HIP2100
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Tipo de soporte
Surface
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto


