Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de producto
Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
65mA
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
8V
Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Colector-Base máxima VCBO
12V
Disipación de potencia máxima Pd
150mW
Polaridad del transistor
NPN
Ganancia mínima de corriente DC hFE
40
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
5.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Frecuencia de transición máxima fT
8000MHz
Número de pines
16
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Profundidad
6 mm
Altura
1.75mm
Longitud
9.9mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
HFA3127
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Matrices de transistores, Intersil
Aislamiento completo entre transistores
Bipolar Transistors, Intersil
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
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1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de producto
Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
65mA
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
8V
Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Colector-Base máxima VCBO
12V
Disipación de potencia máxima Pd
150mW
Polaridad del transistor
NPN
Ganancia mínima de corriente DC hFE
40
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
5.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Frecuencia de transición máxima fT
8000MHz
Número de pines
16
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Profundidad
6 mm
Altura
1.75mm
Longitud
9.9mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
HFA3127
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Matrices de transistores, Intersil
Aislamiento completo entre transistores


