Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
30 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
8 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Configuración de transistor
Complex
Tensión Base Máxima del Colector
12 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10000 MHz
Conteo de Pines
8
Número de elementos por chip
6
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Dimensiones
1.5 x 5 x 4mm
Datos del producto
Matrices de transistor UHF de celda Gilbert, Intersil
Bipolar Transistors, Intersil
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
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1
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Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
30 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
8 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Configuración de transistor
Complex
Tensión Base Máxima del Colector
12 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10000 MHz
Conteo de Pines
8
Número de elementos por chip
6
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Dimensiones
1.5 x 5 x 4mm
Datos del producto


