Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Fuente de Alimentación
Doble
Número de Canales por Chip
1
Conteo de Pines
8
Tensión de Alimentación Dual Típica
±12 V, ±15 V, ±18 V, ±9 V
Slew Rate Típico
1300V/µs
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+75 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
0 ºC
Rail to Rail
No
Typical Voltage Gain
0 dB
Longitud
5mm
Altura
1.5mm
Ancho
4mm
Dimensiones del Cuerpo
5 x 4 x 1.5mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
HA-5002, 110 MHz, velocidad de subida alta, búferes de alta corriente de salida, Intersil
Ganancia de tensión: 0,995
Alta impedancia de entrada: 3000 kΩ
Baja impedancia de salida: 3 Ω
Alta velocidad de subida: 1300 V/μs
Ancho de banda amplio: 110 MHz
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 11.254
Each (In a Tube of 98) (Sin IVA)
$ 13.392,26
Each (In a Tube of 98) (IVA Incluido)
98
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98
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Renesas ElectronicsTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Fuente de Alimentación
Doble
Número de Canales por Chip
1
Conteo de Pines
8
Tensión de Alimentación Dual Típica
±12 V, ±15 V, ±18 V, ±9 V
Slew Rate Típico
1300V/µs
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+75 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
0 ºC
Rail to Rail
No
Typical Voltage Gain
0 dB
Longitud
5mm
Altura
1.5mm
Ancho
4mm
Dimensiones del Cuerpo
5 x 4 x 1.5mm
País de Origen
Philippines
Datos del producto
HA-5002, 110 MHz, velocidad de subida alta, búferes de alta corriente de salida, Intersil
Ganancia de tensión: 0,995
Alta impedancia de entrada: 3000 kΩ
Baja impedancia de salida: 3 Ω
Alta velocidad de subida: 1300 V/μs
Ancho de banda amplio: 110 MHz