Renesas Electronics Transistor Darlington BD679 1 4 A 80 V NPN HFE:750, SOT-32, 3 pines

Código de producto RS: 109-084Marca: Renesas ElectronicsNúmero de parte de fabricante: BD679
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Renesas Electronics

Tipo de Producto

Transistor Darlington

Corriente continua máxima de colector Ic

4A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

80V

Tipo de Encapsulado

SOT-32

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Número de elementos por chip

1

Ganancia mínima de corriente DC hFE

750

Polaridad del transistor

NPN

Tensión Emisor-Base máxima VEBO

5V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Tensión Colector-Base máxima VCBO

80V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Ancho

2.7 mm

Altura

10.8mm

Largo

7.8mm

Certificaciones y estándares

No

Series

BD679

Corriente de corte máxima de colector

0.2mA

Estándar de automoción

No

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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$ 825

$ 825 Each (IVA Inc.)

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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 693
2$ 1.324
3$ 1.986
4$ 2.648
5$ 3.230
6$ 3.876
7$ 4.522
8$ 5.168
9$ 5.814
10$ 6.300
11$ 6.930
12$ 7.560
13$ 8.190
14$ 8.820
15$ 9.450

$ 693

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1

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1$ 693
2$ 1.324
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6$ 3.876
7$ 4.522
8$ 5.168
9$ 5.814
10$ 6.300
11$ 6.930
12$ 7.560
13$ 8.190
14$ 8.820
15$ 9.450

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 1$ 693
2 - 4$ 662
5 - 9$ 646
10 - 24$ 630
25+$ 599

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4A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

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Tipo de Encapsulado

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3

Número de elementos por chip

1

Ganancia mínima de corriente DC hFE

750

Polaridad del transistor

NPN

Tensión Emisor-Base máxima VEBO

5V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Tensión Colector-Base máxima VCBO

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Ancho

2.7 mm

Altura

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Largo

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No

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