MOSFET Panasonic SK8603180L, VDSS 30 V, ID 39 A, HSO8-F4-B de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
HSO8-F4-B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,2 nC a 4,5 V
Profundidad
5.9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Altura
0.95mm
Serie
SK
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Datos del producto
MOSFET de canal N, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
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P.O.A.
10
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N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
HSO8-F4-B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,2 nC a 4,5 V
Profundidad
5.9mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Altura
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SK
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