MOSFET Panasonic MTM231102LBF, VDSS 12 V, ID 4 A, Smini3-G1-B de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 787-7526PMarca: PanasonicNúmero de parte de fabricante: MTM231102LBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Panasonic

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

Smini3-G1-B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2mm

Profundidad

1.25mm

Serie

MTM

Altura

0.8mm

Datos del producto

MOSFET de canal P, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

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Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
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Panasonic

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P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

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Smini3-G1-B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

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