MOSFET Panasonic FK3303010L, VDSS 30 V, ID 100 mA, SSSMini3 F2 B de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 168-3762Marca: PanasonicNúmero de parte de fabricante: FK3303010L
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Panasonic

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

FK

Tipo de Encapsulado

SSSMini3 F2 B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

100 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Profundidad

0.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.2mm

Altura

0.47mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

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P.O.A.

MOSFET Panasonic FK3303010L, VDSS 30 V, ID 100 mA, SSSMini3 F2 B de 3 pines, config. Simple

10000

Disponible en múltiplos de 10000
10000P.O.A.
20000P.O.A.
30000P.O.A.
40000P.O.A.
50000P.O.A.
60000P.O.A.
70000P.O.A.
80000P.O.A.
90000P.O.A.
100000P.O.A.
110000P.O.A.
120000P.O.A.
130000P.O.A.
140000P.O.A.
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Brand

Panasonic

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N

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

FK

Tipo de Encapsulado

SSSMini3 F2 B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

100 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Profundidad

0.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

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1.2mm

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