MOSFET Panasonic FG6943010R, VDSS 30 V, ID 100 mA, SSMini6 F3 B de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 169-7840Marca: PanasonicNúmero de parte de fabricante: FG6943010R
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Panasonic

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SSMini6 F3 B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω, 17 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

125 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.2mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.6mm

Altura

0.5mm

Serie

FG

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET Panasonic FG6943010R, VDSS 30 V, ID 100 mA, SSMini6 F3 B de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

8000

Disponible en múltiplos de 8000
8000P.O.A.
16000P.O.A.
24000P.O.A.
32000P.O.A.
40000P.O.A.
48000P.O.A.
56000P.O.A.
64000P.O.A.
72000P.O.A.
80000P.O.A.
88000P.O.A.
96000P.O.A.
104000P.O.A.
112000P.O.A.
120000P.O.A.

P.O.A.

MOSFET Panasonic FG6943010R, VDSS 30 V, ID 100 mA, SSMini6 F3 B de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Volver a intentar más tarde

8000

Disponible en múltiplos de 8000
8000P.O.A.
16000P.O.A.
24000P.O.A.
32000P.O.A.
40000P.O.A.
48000P.O.A.
56000P.O.A.
64000P.O.A.
72000P.O.A.
80000P.O.A.
88000P.O.A.
96000P.O.A.
104000P.O.A.
112000P.O.A.
120000P.O.A.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Panasonic

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SSMini6 F3 B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω, 17 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

125 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.2mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.6mm

Altura

0.5mm

Serie

FG

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más