Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SSMini6 F3 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω, 17 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.6mm
Ancho
1.2mm
Material del transistor
Si
Serie
FG
Altura
0.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SSMini6 F3 B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω, 17 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
125 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.6mm
Ancho
1.2mm
Material del transistor
Si
Serie
FG
Altura
0.5mm
País de Origen
China
Datos del producto