MOSFET Panasonic FG6943010R, VDSS 30 V, ID 100 mA, SSMini6 F3 B de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 169-7840Marca: PanasonicNúmero de parte de fabricante: FG6943010R
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Panasonic

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SSMini6 F3 B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω, 17 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

125 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.2mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

1.6mm

Altura

0.5mm

Serie

FG

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canales N/P dobles, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

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P.O.A.

MOSFET Panasonic FG6943010R, VDSS 30 V, ID 100 mA, SSMini6 F3 B de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

8000

Disponible en múltiplos de 8000
8000P.O.A.
16000P.O.A.
24000P.O.A.
32000P.O.A.
40000P.O.A.
48000P.O.A.
56000P.O.A.
64000P.O.A.
72000P.O.A.
80000P.O.A.
88000P.O.A.
96000P.O.A.
104000P.O.A.
112000P.O.A.
120000P.O.A.

P.O.A.

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8000P.O.A.
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N, P

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100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SSMini6 F3 B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω, 17 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

125 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.2mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

1.6mm

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