Fotodiodo de silicio Osram Opto, IR, λ sensibilidad máx. 900nm, mont. pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
900nm
Encapsulado
T-1 3/4
Tipo de montaje
Through Hole
Número de Pines
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
800nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Largo
5.9mm
Profundidad
5.9mm
Altura
9mm
Fotosensibilidad de Pico
0.59A/W
Polarity
Directo
Datos del producto
Fotodiodo PIN - Encapsulado T-1 3/4 (5 mm)
Esta familia de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante T-1 3/4 (5 mm) estándar. Tienen un área sensible a la radiación de 1 x 1 mm². Los fotodiodos de encapsulado T-1 3/4 ofrecen un tiempo de conmutación corto. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores de alta velocidad, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
1
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Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
800nm
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Largo
5.9mm
Profundidad
5.9mm
Altura
9mm
Fotosensibilidad de Pico
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Directo
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Fotodiodo PIN - Encapsulado T-1 3/4 (5 mm)
Esta familia de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante T-1 3/4 (5 mm) estándar. Tienen un área sensible a la radiación de 1 x 1 mm². Los fotodiodos de encapsulado T-1 3/4 ofrecen un tiempo de conmutación corto. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores de alta velocidad, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.
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