Fototransistor NPN Osram Opto de amplio espectro, rango onda λ 350 → 950 nm, corriente Ic 20mA, mont. SMD, SMD
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Number of Channels
1
Maximum Light Current
12.5µA
Corriente de Oscuridad Máxima
3nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
SMD
Dimensiones del Cuerpo
2.1 x 1.35 x 0.9mm
Corriente del Colector
20mA
Rango Espectral de Sensibilidad
350 → 950 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
950nm
Profundidad
1.35mm
Longitud:
2.1mm
Altura
0.9mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
Adaptado a la sensibilidad del ojo humano (Vλ)
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
20
P.O.A.
20
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Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Number of Channels
1
Maximum Light Current
12.5µA
Corriente de Oscuridad Máxima
3nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
SMD
Dimensiones del Cuerpo
2.1 x 1.35 x 0.9mm
Corriente del Colector
20mA
Rango Espectral de Sensibilidad
350 → 950 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
950nm
Profundidad
1.35mm
Longitud:
2.1mm
Altura
0.9mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
Adaptado a la sensibilidad del ojo humano (Vλ)