Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
24µs
Typical Rise Time
24µs
Number of Channels
1
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
DIP
Dimensiones
2.1 x 2.7 x 1.05mm
Corriente del Colector
50mA
Rango Espectral de Sensibilidad
460 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
460nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Longitud
2.1mm
Profundidad
2.7mm
Altura
1.05mm
País de Origen
China
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado Smart DIL
Tamaño del encapsulado 2,7 x 2,1 x 1,1 mm
Linealidad alta
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
24µs
Typical Rise Time
24µs
Number of Channels
1
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
DIP
Dimensiones
2.1 x 2.7 x 1.05mm
Corriente del Colector
50mA
Rango Espectral de Sensibilidad
460 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
460nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Longitud
2.1mm
Profundidad
2.7mm
Altura
1.05mm
País de Origen
China
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado Smart DIL
Tamaño del encapsulado 2,7 x 2,1 x 1,1 mm
Linealidad alta