Fotodiodo de silicioOsram Opto, IR, λ sensibilidad máx. 950nm, mont. pasante, encapsulado T-1 3/4 de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
950nm
Encapsulado
T-1 3/4
Tipo de Montaje
Through Hole
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
800nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Longitud
5.1mm
Ancho
4.1mm
Altura
6.9mm
Fotosensibilidad de Pico
0.59A/W
Ángulo de Sensibilidad Media
60 °
Polarity
Forward
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Encapsulado de vista lateral de fotodiodo PIN
Esta familia de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante. Son encapsulados de vista lateral con opciones de filtro de luz diurna o transparente. Tienen una gama de diferentes tamaños de área sensible radiante.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
Estándar
5
P.O.A.
Estándar
5
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Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
950nm
Encapsulado
T-1 3/4
Tipo de Montaje
Through Hole
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
800nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Longitud
5.1mm
Ancho
4.1mm
Altura
6.9mm
Fotosensibilidad de Pico
0.59A/W
Ángulo de Sensibilidad Media
60 °
Polarity
Forward
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Encapsulado de vista lateral de fotodiodo PIN
Esta familia de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante. Son encapsulados de vista lateral con opciones de filtro de luz diurna o transparente. Tienen una gama de diferentes tamaños de área sensible radiante.