Fototransistor NPNOsram Opto BPX 81, rango onda λ 450 → 1100 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, Matriz en

Código de producto RS: 136-9671Marca: OSRAM Opto SemiconductorsNúmero de parte de fabricante: BPX 81-3/4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

OSRAM Opto Semiconductors

Tiempo de Bajada Típico

6µs

Typical Rise Time

6µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

>400µA

Corriente de Oscuridad Máxima

1 (≤ 50)nA

Ángulo de Sensibilidad Media

±18°

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

Miniature Array

Dimensiones del Cuerpo

2.2 x 2 x 3.45mm

Corriente del Colector

50mA

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1100 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Profundidad

2mm

Linealidad

High

Altura

3.45mm

Tensión de saturación

150mV

Serie

BPX 81

Emitter Collector Voltage

7V

Tensión del colector de emisión

35V

Longitud

2.2mm

País de Origen

China

Datos del producto

Fototransistor con encapsulado en miniatura

Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

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P.O.A.

Fototransistor NPNOsram Opto BPX 81, rango onda λ 450 → 1100 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, Matriz en

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

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6µs

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Maximum Light Current

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Corriente de Oscuridad Máxima

1 (≤ 50)nA

Ángulo de Sensibilidad Media

±18°

Polarity

NPN

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Through Hole

Encapsulado

Miniature Array

Dimensiones del Cuerpo

2.2 x 2 x 3.45mm

Corriente del Colector

50mA

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1100 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Profundidad

2mm

Linealidad

High

Altura

3.45mm

Tensión de saturación

150mV

Serie

BPX 81

Emitter Collector Voltage

7V

Tensión del colector de emisión

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2.2mm

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