Fototransistor NPNOsram Opto sensible a IR, rango onda λ 450 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, TO-18
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
15µs
Typical Rise Time
15µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
2300µA
Corriente de Oscuridad Máxima
20 (≤ 100)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±40 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones
4.8 (Dia.) x 5.5mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
4.8mm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1120 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1120nm
Tensión de saturación
200mV
Altura
5.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado TO18
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
15µs
Typical Rise Time
15µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
2300µA
Corriente de Oscuridad Máxima
20 (≤ 100)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±40 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones
4.8 (Dia.) x 5.5mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
4.8mm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1120 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1120nm
Tensión de saturación
200mV
Altura
5.5mm
País de Origen
China
Datos del producto