Fototransistor NPNOsram Opto sensible a IR, rango onda λ 450 → 1120 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, TO-18
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
15µs
Typical Rise Time
15µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
2300µA
Corriente de Oscuridad Máxima
20 (≤ 100)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±40 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
4.8 (Dia.) x 5.5mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
4.8mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1120nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1120 nm
Altura
5.5mm
Tensión de saturación
200mV
País de Origen
China
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado TO18
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
1000
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15µs
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2300µA
Corriente de Oscuridad Máxima
20 (≤ 100)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±40 °
Polarity
NPN
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Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
4.8 (Dia.) x 5.5mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
4.8mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1120nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1120 nm
Altura
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Tensión de saturación
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