Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 880nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2 pines

Código de producto RS: 654-7892Marca: ams OSRAMNúmero de parte de fabricante: BPW 34 FAS-Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ams OSRAM

Espectros Detectados

Infrarrojo

Spectrum(s) Detected

Infrared

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

880nm

Encapsulado

DIP

Tipo de montaje

Surface Mount

Función de amplificador

No

Number of Pins

1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

730nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud:

4.5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.65A/W

Polarity

Reverse

Datos del producto

Fotodiodo PIN con encapsulado DIL

Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.

IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors

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$ 389

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 462,91

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 880nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2 pines
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 1.945
10$ 3.890
15$ 5.835
20$ 7.780
25$ 9.725
30$ 11.670
35$ 13.615
40$ 15.560
45$ 17.505
50$ 19.450
55$ 21.395
60$ 23.340
65$ 25.285
70$ 27.230
75$ 29.175

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DIP

Tipo de montaje

Surface Mount

Función de amplificador

No

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1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

730nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud:

4.5mm

Profundidad

4mm

Altura

1.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.65A/W

Polarity

Reverse

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Fotodiodo PIN con encapsulado DIL

Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.

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