Fotodiodo de silicioOsram Opto, IR, λ sensibilidad máx. 880nm, mont. pasante, encapsulado DIP de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
880nm
Encapsulado
DIP
Función de amplificador
No
Tipo de montaje
Through Hole
Number of Pins
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
730nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Longitud:
4.5mm
Profundidad
4mm
Altura
2.2mm
Fotosensibilidad de Pico
0.65A/W
Polarity
Reverse
País de Origen
China
Datos del producto
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
5
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Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
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Máxima Longitud de Onda Detectada
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Longitud:
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Profundidad
4mm
Altura
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Fotosensibilidad de Pico
0.65A/W
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Reverse
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Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
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