Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics, UV, λ sensibilidad máx. 980nm, mont. pasante, encapsulado Cerámico de 2 pines

Código de producto RS: 177-5563Marca: OSI OptoelectronicsNúmero de parte de fabricante: PIN-UV-100DQC
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

OSI Optoelectronics

Espectros Detectados

Ultraviolet

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

980nm

Encapsulado

Ceramic

Tipo de montaje

Through Hole

Función de amplificador

No

Number of Pins

1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

190nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud

16.51mm

Profundidad

14.99mm

Altura

2.03mm

Fotosensibilidad de Pico

0.5A/W

Polarity

Reverse

País de Origen

United States

Datos del producto

Fotodiodos OSI serie UV Enhanced

La serie UV Enhanced, de OSI Optoelectronics, son una gama de fotodiodos de silicio de UV mejorada. Esta serie incluye dos familias de fotodiodos independientes, canal de inversión y difuso planar. Ambas familias están diseñadas para una detección de ruido bajo en la zona de UV del espectro electromagnético.
La familia de estructura de capa de inversión ofrece una eficiencia interna del 100%. Esta familia de fotodiodos ofrece alta resistencia de derivación, bajo nivel de ruidos y tensiones de ruptura altas, y es ideal para medidas de luz de baja intensidad.
Los fotodiodos con la estructura difusa planar ofrecen una capacitancia más baja y tiempo de respuesta superior en comparación con la familia posterior de inversión. También muestran la linealidad de la corriente fotoeléctrica hasta una potencia de entrada de luz superior en comparación con los fotodiodos de capa de inversión.
Las aplicaciones adecuadas para la serie UV Enhanced incluye: control de contaminación, instrumentación médica, medidores de exposición UV, espectroscopios, purificación de agua y fluorescencia.

Características de la serie UV Enhanced:
Fotodiodos de silicio difuso planar o capas de inversión
Excelente respuesta a UV

Photodiodes, OSI Optoelectronics

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$ 291.440

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$ 346.813,60

Each (In a Box of 2) (IVA Incluido)

Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics, UV, λ sensibilidad máx. 980nm, mont. pasante, encapsulado Cerámico de 2 pines

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 582.880
4$ 1.165.760
6$ 1.748.640
8$ 2.331.520
10$ 2.914.400
12$ 3.497.280
14$ 4.080.160
16$ 4.663.040
18$ 5.245.920
20$ 5.828.800
22$ 6.411.680
24$ 6.994.560
26$ 7.577.440
28$ 8.160.320
30$ 8.743.200

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Función de amplificador

No

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1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

190nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Longitud

16.51mm

Profundidad

14.99mm

Altura

2.03mm

Fotosensibilidad de Pico

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Reverse

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Fotodiodos OSI serie UV Enhanced

La serie UV Enhanced, de OSI Optoelectronics, son una gama de fotodiodos de silicio de UV mejorada. Esta serie incluye dos familias de fotodiodos independientes, canal de inversión y difuso planar. Ambas familias están diseñadas para una detección de ruido bajo en la zona de UV del espectro electromagnético.
La familia de estructura de capa de inversión ofrece una eficiencia interna del 100%. Esta familia de fotodiodos ofrece alta resistencia de derivación, bajo nivel de ruidos y tensiones de ruptura altas, y es ideal para medidas de luz de baja intensidad.
Los fotodiodos con la estructura difusa planar ofrecen una capacitancia más baja y tiempo de respuesta superior en comparación con la familia posterior de inversión. También muestran la linealidad de la corriente fotoeléctrica hasta una potencia de entrada de luz superior en comparación con los fotodiodos de capa de inversión.
Las aplicaciones adecuadas para la serie UV Enhanced incluye: control de contaminación, instrumentación médica, medidores de exposición UV, espectroscopios, purificación de agua y fluorescencia.

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