Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics OSD, IR, λ sensibilidad máx. 436nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
OSI OptoelectronicsEspectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
436nm
Tipo de Encapsulado
TO-8
Tipo de Montaje
Through Hole
Función de amplificador
No
Número de Pines
3
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Altura
0.17in
Diámetro
13.97mm
Fotosensibilidad de Pico
0.21A/W
Series
OSD
Polarity
Inverso
Tiempo de Subida Típico
30µs
País de Origen
Malaysia
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$ 108.754 Each (Sin IVA)
$ 129.417
$ 129.417 Each (IVA Inc.)
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Si
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350nm
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