Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
50µA
Altura
1.5mm
Ancho
4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-20 °C
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
10mm
Corriente de base
25mA
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
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Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
50µA
Altura
1.5mm
Ancho
4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-20 °C
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
10mm
Corriente de base
25mA