Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Ánodo común
Tensión Mínima de Ruptura
5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.24W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.25 x 0.85 x 0.55mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
47pF
Longitud
1.25mm
Altura
0.55mm
Profundidad
0.85mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Uni-Directional
Configuración de diodo
Ánodo común
Tensión Mínima de Ruptura
5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.24W
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.25 x 0.85 x 0.55mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
47pF
Longitud
1.25mm
Altura
0.55mm
Profundidad
0.85mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto