Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
25 (Continuous) A, 40 (Peak) A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V cc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
SOT-93
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
15
Tensión Base Máxima del Colector
100 V dc
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
1mA
Altura
20.35mm
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Ancho
4.9mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
15.2mm
Corriente de base
5A
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
2
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Tubo)
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
25 (Continuous) A, 40 (Peak) A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V cc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
SOT-93
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
15
Tensión Base Máxima del Colector
100 V dc
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
1mA
Altura
20.35mm
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Ancho
4.9mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
15.2mm
Corriente de base
5A
País de Origen
China


