Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
5 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Número de elementos por chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión Base Máxima del Colector
80 Vdc
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V dc
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.53mm
Ancho
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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50
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
5 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Número de elementos por chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión Base Máxima del Colector
80 Vdc
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V dc
Altura
15.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.53mm
Ancho
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
País de Origen
China


