JFET, TF414G, N-Canal, 40 V, Único, SOT-883, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 163-0320Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: TF414T5G
brand-logo
Ver todo de JFET

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

0.05 to 0.13mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Maximum Drain Gate Voltage

-40V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-883

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

0.7pF

Capacidad Fuente-Puerta

0.3pF

Dimensiones del Cuerpo

1.07 x 0.67 x 0.41mm

Altura

0.41mm

Ancho

0.67mm

Disipación de Potencia Máxima

100 mW

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1.07mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

JFET, TF414G, N-Canal, 40 V, Único, SOT-883, 3-Pines Simple

8000

Disponible en múltiplos de 8000
8000P.O.A.
16000P.O.A.
24000P.O.A.
32000P.O.A.
40000P.O.A.
48000P.O.A.
56000P.O.A.
64000P.O.A.
72000P.O.A.
80000P.O.A.
88000P.O.A.
96000P.O.A.
104000P.O.A.
112000P.O.A.
120000P.O.A.

P.O.A.

JFET, TF414G, N-Canal, 40 V, Único, SOT-883, 3-Pines Simple
Volver a intentar más tarde

8000

Disponible en múltiplos de 8000
8000P.O.A.
16000P.O.A.
24000P.O.A.
32000P.O.A.
40000P.O.A.
48000P.O.A.
56000P.O.A.
64000P.O.A.
72000P.O.A.
80000P.O.A.
88000P.O.A.
96000P.O.A.
104000P.O.A.
112000P.O.A.
120000P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

0.05 to 0.13mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Maximum Drain Gate Voltage

-40V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-883

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

0.7pF

Capacidad Fuente-Puerta

0.3pF

Dimensiones del Cuerpo

1.07 x 0.67 x 0.41mm

Altura

0.41mm

Ancho

0.67mm

Disipación de Potencia Máxima

100 mW

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1.07mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more