Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
12V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10μA
Estándar de automoción
No
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
10
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Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de producto
Array de diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOIC
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
500W
Tensión de sujeción VC
12V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10μA
Estándar de automoción
No
País de Origen
Philippines
Datos del producto