MOSFET onsemi SMP3003-DL-1E, VDSS 75 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
280 nC a 10 V
Altura
4.5mm
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
800
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P
Maximum Continuous Drain Current
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
280 nC a 10 V
Altura
4.5mm
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