Amplificador de RF SMA3101-TL-E Banda ancha, 25,5 dB 1-Canales 3 GHz MCPH, 6-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Amplificador
Wide Band
Ganancia de Potencia Típica
25.5 dB
Potencia de Salida Típica
-4dBm
Cifra de Ruido Típico
4dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
MCPH
Conteo de Pines
6
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.6 x 0.85mm
Altura
0.85mm
Longitud
2mm
Ancho
1.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
País de Origen
China
Datos del producto
Amplificadores RF, ON Semiconductor
Amplificador de banda ancha MMIC (circuito integrado de microondas monolítico) de ON Semiconductor, adecuado para el funcionamiento de varios GHz.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Amplificador
Wide Band
Ganancia de Potencia Típica
25.5 dB
Potencia de Salida Típica
-4dBm
Cifra de Ruido Típico
4dB
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
3 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
MCPH
Conteo de Pines
6
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.6 x 0.85mm
Altura
0.85mm
Longitud
2mm
Ancho
1.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
País de Origen
China
Datos del producto
Amplificadores RF, ON Semiconductor
Amplificador de banda ancha MMIC (circuito integrado de microondas monolítico) de ON Semiconductor, adecuado para el funcionamiento de varios GHz.