Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

Código de producto RS: 195-8771Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NXH100B120H3Q0STG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

186 W

Tipo de Encapsulado

Q0BOOST

Configuration

Dual

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

22

Transistor Configuration

Dual

Dimensiones

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Ancho

32.8mm

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Each (Sin IVA)

$ 109.584

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 92.087
2$ 179.178
3$ 268.767
4$ 358.356
5$ 447.945
6$ 523.416
7$ 610.652
8$ 697.888
9$ 785.124
10$ 872.360
11$ 959.596
12$ 1.020.012
13$ 1.105.013
14$ 1.190.014
15$ 1.275.015

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1200 V

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186 W

Tipo de Encapsulado

Q0BOOST

Configuration

Dual

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

22

Transistor Configuration

Dual

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66.2 x 32.8 x 11.9mm

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