MOSFET onsemi NVTR4503NTG, VDSS 30 V, ID 2,5 A, SOT-23 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
730 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 112
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 133,28
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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SOT-23-5
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Conteo de Pines
3
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Mejora
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Disipación de Potencia Máxima
730 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1.4mm
Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Altura
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