Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
57.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15,9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
77.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Largo
3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
0.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 837
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 996,03
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
$ 837
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 996,03
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
57.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15,9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
77.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Largo
3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
0.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Estándar de automoción
AEC-Q101