Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
205 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,1 nC a 10 V
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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$ 164
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 195,16
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 164
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 195,16
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
205 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,1 nC a 10 V
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China