MOSFET onsemi NVMYS025N06CLTWGOS, VDSS 60 V, ID 21 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi NVMYS025N06CLTWGOS, VDSS 60 V, ID 21 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1952551
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 195-2551Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMYS025N06CLTWG

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

21,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

43 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

24000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

Ancho

4.25mm

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,8 a 10 V NC

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 912

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 1.085,28

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

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3000

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

21,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

43 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

24000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

Ancho

4.25mm

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,8 a 10 V NC

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Tensión de diodo directa

1.2V