MOSFET onsemi NVMTS0D7N04CLTXG, VDSS 40 V, ID 433 A, DFNW8 de 8 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi NVMTS0D7N04CLTXG, VDSS 40 V, ID 433 A, DFNW8 de 8 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1858159
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 185-8159Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMTS0D7N04CLTXG

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

433 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DFNW8

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

630 μΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

205000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

8mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

8.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

99 nC @ 4.5 V

Altura

1.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

Philippines

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$ 7.159

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 8.519,21

Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

433 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DFNW8

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

630 μΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

205000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

8mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

8.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

99 nC @ 4.5 V

Altura

1.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

Philippines