MOSFET onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 200 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 200 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1952508
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 195-2508Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMJS1D5N04CLTWG

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

200 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.9mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Altura

1.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

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$ 1.832

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 2.180,08

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

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3000

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Maximum Continuous Drain Current

200 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.9mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Altura

1.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

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