Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.718
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 2.044,42
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
$ 1.718
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 2.044,42
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia