MOSFET onsemi NVMFS5C604NLAF, VDSS 60 V, ID 287 A, DFN de 4 + Tab pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
287 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NVMFS5C604NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 4.123
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 4.906,37
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1500
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
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Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
120 nC a 10 V
Altura
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Serie
NVMFS5C604NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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