Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Longitud
5.1mm
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 891
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 1.060,29
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
$ 891
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 1.060,29
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Longitud
5.1mm
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia