Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia
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P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
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P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia