MOSFET onsemi NVMFS5A160PLZWFT1G, VDSS 60 V, ID 100 A, DFN de 5 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

Altura

1.05mm

País de Origen

Malaysia