MOSFET onsemi NVD5C668NL, VDSS 60 V, ID 49 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
49 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
44000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,7 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Serie
NVD5C668NL
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.372,07
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2500
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
44000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18,7 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Serie
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