MOSFET onsemi NVD5C668NL, VDSS 60 V, ID 49 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 141-2079Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVD5C668NLT4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

49 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

NVD5C668NL

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

44000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,7 nC a 10 V

Altura

2.38mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 1.153

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.372,07

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

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N

Maximum Continuous Drain Current

49 A

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DPAK (TO-252)

Serie

NVD5C668NL

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

44000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18,7 nC a 10 V

Altura

2.38mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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