Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC a 4,5 V
Altura
2.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Vietnam
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.110
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.320,90
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
$ 1.110
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.320,90
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC a 4,5 V
Altura
2.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Vietnam