MOSFET onsemi NVB190N65S3FOS, VDSS 650 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
162 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 a 10 V NC
Largo
10.67mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
4.58mm
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$ 2.392
Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
$ 2.846,48
Each (On a Reel of 800) (IVA Incluido)
800
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650 V
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
162 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 a 10 V NC
Largo
10.67mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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