Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
70V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tensión de Corte Inversa Máxima
70V
Conteo de Pines
6
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.7 x 1mm
Longitud
3.1mm
Altura
1mm
Profundidad
1.7mm
Corriente de Prueba
100µA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
50µA
Datos del producto
Matriz de diodos de baja capacitancia para la protección contra ESD en cuatro líneas de datos NUP4301MR6T1
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
50
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50
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Tensión Mínima de Ruptura
70V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tensión de Corte Inversa Máxima
70V
Conteo de Pines
6
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.7 x 1mm
Longitud
3.1mm
Altura
1mm
Profundidad
1.7mm
Corriente de Prueba
100µA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
50µA
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