Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tipo de Producto
Array de diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
70V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SC-74
Número de pines
6
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Corriente de prueba lt
100μA
Temperatura Máxima de Funcionamiento
85°C
Número de elementos por chip
4
Longitud
3mm
Altura
0.94mm
Certificaciones y estándares
No
Corriente de fugas inversa máxima
50μA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Matriz de diodos de baja capacitancia para la protección contra ESD en cuatro líneas de datos NUP4301MR6T1
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Complex Array
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tipo de Producto
Array de diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
70V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SC-74
Número de pines
6
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Corriente de prueba lt
100μA
Temperatura Máxima de Funcionamiento
85°C
Número de elementos por chip
4
Longitud
3mm
Altura
0.94mm
Certificaciones y estándares
No
Corriente de fugas inversa máxima
50μA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto


